MRF7S18170HR3 MRF7S18170HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, 1805--1880 MHz Bandwidth
Video Bandwidth @ 170 W PEP Pout
whereIM3=--30dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
?IMD3 = IMD3 @ VBW frequency -- IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
?
25
?
MHz
Gain Flatness in 75 MHz Bandwidth @ Pout
=50WAvg.
GF
?
0.4
?
dB
Average Deviation from Linear Phase in 75 MHz Bandwidth
@Pout
= 170 W CW
Φ
?
2.5
?
°
Average Group Delay @ Pout
= 170 W CW, f = 1840 MHz
Delay
?
4.2
?
ns
Part--to--Part Insertion Phase Variation @ Pout
= 170 W CW,
f = 1840 MHz, Six Sigma Window
?
15
?
°
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.015
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?P1dB
?
0.01
?
dB/°C
相关PDF资料
MRF7S19080HSR5 MOSFET RF N-CH NI-780S
MRF7S19100NR1 MOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4
MRF7S19120NR1 MOSFET RF N-CH TO-270-4
MRF7S19170HSR5 IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S
MRF7S19210HSR5 MOSFET RF N-CH 28V 63W NI780S
MRF7S21080HSR5 MOSFET RF N-CH 22W NI-780S
MRF7S21110HSR5 MOSFET RF N-CH 33W NI-780S
MRF7S21150HSR5 MOSFET RF N-CH 150W NI780S
相关代理商/技术参数
MRF7S19080HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S19080HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S19080HS 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF7S19080HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S19080HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S19100NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S19100NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S19100NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs